Pamięci

DRAM
Elementarna komórka pamięci realizowana jest za pomocą pary złożonej z jednego 1 tranzystora i kondensatora. Komórki zgrupowane są w pola, a dostęp do pojedynczego odbywa się poprzez wybranie adresu wiersza i kolumny. W trybie przyspieszonym I (Fast śage Modę) wystarczy podawać adresy kolumn przy niezmiennym adresie wie, co daje skrócony o połowę czas dostępu w stosunku do pełnego adresowania.

EDO i BEDO DRAM
Stanowi odmianę pamięci DRAM i udostępnia pasmo nieco powyżej 200 MB/s. śodczas odczytu dane utrzymywane są na wyjściu aż do momentu, gdy pole pamięci gotówe do przekazania następnego słowa. W ten sposób kontroler graficzny może przygotować; się do następnego cyklu odczytu, będąc jeszcze w trakcie przejmowania danych z c poprzedniego. Grupowanie następujących po sobie cykli (śipeline) jest podstawą j w stylu Burst (stąd wywodzi się nazwa Burst EDO, BEDO DRAM).

SDRAM

Klasyczne układy pamięciowe ORAM wymagają podawania z zewnątrz precyzyjnie uformowanych sygnałów RAS i CAS (Row Address Strobe, Column Address Strobe). śamięci synchroniczne mają własny kontroler, przetwarzający impulsy zegarowe na niezbędne sygnały sterujące. Zmniejsza to negatywny wpływ wszelkich zjawisk o podłożu falowym i elektromagnetycznym oraz umożliwia podwyższenie prędkości taktowania.

SGRAM
Niestosowana już dziś odmiana synchronicznej pamięci SDRAM, która cechowała się dodatkowym trybem pracy blokowej przy zapisie {Błock Write). śojedyncze układy pamięci miały szerokość 32 bitów, co stanowiło korzystny czynnik przy obsadzie 2-4 MB. Częstotliwość zegara taktującego sięgała 100 MHz.

MDRAM
Pamięci Multibank-DRAM należały do grupy synchronicznych układów DRAM. W odróżnieniu od SDRAM i SGRAM, gdzie w trybie burst współpracowały ze sobą najwyżej 2 banki, mamy tu do czynienia z przypadkiem nakładania się na siebie 8 banków. pamięć tego typu wytwarzana była w zasadzie przez jedną tylko firmę (Mosys). Bazowała na logicznych jednostkach pamięci 256 kB, każda po 8 banków 32 kB. Na rynku powszechne były układy 1 MB, integrujące w sobie cztery jednostki pamięci.

V-RAM
Specjalny typ pamięci opracowany przez firmę Texas Instruments. Skrót V-RAM (Video--RAM) nie oddaje w pełni istoty sprawy. Z punktu widzenia kontrolera graficznego układy pamięci V-RAM zachowują się jak normalne pamięci DRAM. Osiągane r>asmo przenoszenia przy zapisie magistralą 64-bitową nie przekraczało 200 MB/s. Ich szczególną był niezależny port wyjściowy prowadzący do przetwornika RAIV Transfer na tym odcinku osiągał 360 MB/s, a kontroler nie musiał tracić cykli zegara na wytworzenie sygnału dla monitora. Nie występowało tu, charakterystyczne dla kich innych typów pamięci, zjawisko stopniowego blokowania ograniczonego p pasma przepustowego magistrali w miarę wzrostu rozdzielczości i ilości odtwarzanych kolorów.

WRAM
Window RAM stanowił wariant V-RAM, poszerzony o pewne dodatkowo analizowane sprzętowo funkcje blokowe (Aligned Move i Fill). Układy tego typu v rżane były wyłącznie przez firmę Samsung i montowane na wczesnych wersjach (Millenium-1) firmy Matrox.

DDR-SDRAM
Większość współczesnych kart graficznych wyższej klasy wyposażona jest w p DDR-SDRAM (Double Ratę SDRAM), której przewaga nad zwykłymi pamięciach chronicznymi leży w głównie w szerokości pasma dostępu -- w jednym cyklu impulsu zegarowego mają miejsce dwa transfery (jeden dla opadającego, a drugi dla narasta zbocza zegara).